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      TVS二極管AEC-Q101認證測試項目及樣品要求
      文章來源 : 廣東優(yōu)科檢測 發(fā)表時間：2023-03-14 瀏覽數(shù)量：
      
                        
      
                            
      優(yōu)科檢測認證是專業(yè)第三方AEC-Q101認證機構，可提供TVS二極管AEC-Q101認證辦理服務，接下來為大家介紹TVS二極管AEC-Q101認證對應的測試項目、測試標準、測試條件、樣品測試數(shù)量，參考案例如下表，具體以實際樣品規(guī)格書評估后確定：
      序號測試項目縮寫樣品數(shù)/批批數(shù)測試方法附加條件
      A1預處理
      Pre-condition      		PC77*43J-STD-020E，JESD-A113只對A2，A3，A4，A5&C8進行預處理
      A2高加速度應力測試
      Highly Accelerated Stress Test      		HAST773JESD22 A-1101、96H，Ta=130℃，RH=85%；
      2、VR=80%*Vrmax
      3、試驗前后電測
      A2alt高溫高濕反向偏壓
      High Humidity High Temp. Reverse Bias      		H3TRB773JESD22 A-1011、試驗周期：1000H；
      2、Ta=85℃/85%RH；
      3、VR=80%*Vrmax
      4、試驗前后電測
      A3無偏加速應力測試
      Unbiased Highly Accelerated Stress Test      		UHAST773JESD22 A-1181、試驗周期：96H；
      2、Ta=130℃/85%RH；
      3、UHAST前后進行TEST。
      A3alt高壓測試
      Autoclave      		AC773JESD22 A-1021、試驗周期=96H；
      2、Ta=121℃/100%RH，15psig；
      3、AC前后進行TEST。
      A4溫度循環(huán)
      Temperature Cycling      		TC773JESD22 A-1041、試驗周期：1000循環(huán)；
      2、-55℃~150℃；
      3、TC前后TEST
      B1高溫反向偏壓
      High Temperature Reverse Bias      		HTRB773MIL-STD-750-1 M1038 Method A
      		1、試驗周期：1000H；
      2、VR=Vrmax；
      3、Ta=150℃，需要根據(jù)漏電流大小調整；
      4、HTRB前后進行TEST
      C1破壞性物理分析
      Destructive Physical Analysis      		DPA21AEC-Q101-004 Section 4從通過H3TRB或HAST 、TC試驗的樣品中隨機各抽取2只
      C2物理尺寸
      Physical Dimension      		PD301JESD22 B-100驗證物理尺寸和公差
      C3邦線強度
      Wire Bond Strength      		WBS101MIL-STD-750 Method 2037進行前后過程變化對比以評估過程變化的穩(wěn)健性
      C4邦線剪切
      Bond Shear      		BS101AEC-Q101-003有關驗收標準和如何執(zhí)行測試的詳細信息，請參閱附帶的程序。
      C5芯片剪切
      Die Shear      		DS51MIL-STD-750 Method 2017進行前后過程變化對比以評估過程變化的穩(wěn)健性
      C8耐焊錫熱
      Resistance to Solder Heat      		RSH301JESD22
      A-111 (SMD)
      B-106 (PTH)      		RSH試驗前后都要都要進行TEST，SMD部件應在測試期間完全浸沒，并按MSL等級進行預處理。
      C9熱阻抗
      Thermal Resistance      		TR101JESD24-3,24-4,26-6視情況而定測量TR以確保符合規(guī)范
      C10可焊性
      Solderability      		SD101J-STD-002
      JESD22B102      		放大50X,參考表2B中的測試方法A，對于通孔應用測試方法A，或對SMD應用測試方法B和D.
      C11晶須生長評估
      Whisker Growth Evaluation      		WG33AEC-Q005晶須生長，采用溫沖的條件：-40~+85℃的溫循，1小時3循環(huán)，1500循環(huán)，試驗后采用SEM進行錫須觀察
      E0目檢
      External Visual      		EV每項試驗前后均進行測試JESD22-B101產品外觀檢查（結構、標識、工藝）
      E1應力前后電氣和光度測試
      Pre- and Post-Stress Electrical and Photometric Test      		TEST所有應力試驗前后均進行測試用戶規(guī)范或供應商的標準規(guī)范應力試驗前后在室溫下測量以下靜態(tài)參數(shù)：VF, IR, VBR
      E2參數(shù)驗證
      Parametric Verification      		PV253用戶規(guī)范依據(jù)產品規(guī)格書測試器件參數(shù)，以確保符合規(guī)范

      優(yōu)科實驗室具備AEC-Q100/101/102/103/104/200標準檢測資質和檢測能力，可提供車規(guī)級集成電路、分立半導體器件、光電半導體器件、傳感器、被動元件等汽車電子元件AEC-Q檢測認證服務。我們可依據(jù)產品使用條件和質量指標，定義符合車電測試計劃，助力客戶快速進入汽車電子市場。
      
                        
      
                        
      微信咨詢檢測認證業(yè)務
      
                        
      
                        

                        
                        








      

      
    
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